В настоящее время в полупроводниковом производстве используются пластины кремния диаметром 300 мм. Хотя разговоры о возможном переходе на пластины диаметром 450 мм идут уже давно, единства относительно целесообразности и сроков такого перехода пока нет. Между тем, крупный производитель полупроводниковой продукции, южнокорейская компания Samsung Electronics настроена решительно. По словам ее старшего вице-президента, Джу-Тай Муна (Joo-Tai Moon), 450-миллиметровые пластины заменят 300-миллиметровые в массовом производстве в 2015 году. Кроме того, Мун отметил, что азиатский континент является наиболее быстрорастущим рынком полупроводниковой продукции — к концу 2011 он поглотит 70% мирового производства интегральных микросхем.

Перспективными направлениями развития в Samsung считают память, основную на изменении фазового состояния (PRAM), память на основе оксидов и магнитную память, в которой используется эффект передачи момента спина (spin-torque-transfer magnetic-random-access-memory, STT-MRAM). Эти технологии могут стать привлекательной альтернативой технологиям памяти, используемым сегодня.

Потенциальным узким местом в производстве памяти Мун назвал уменьшающиеся нормы техпроцесса. Кроме того, при увеличении числа бит информации, записываемых в одну ячейку памяти, обостряется вопрос производительности и надежности памяти.

Источник: DigiTimes